Quantum Mechanical Approach for the Examination of the Properties of MOS Inversion Layers in p-type Silicon

Author	K Tarnay
Author	F Masszi
Author	T Kocsis
Author	Poppe, András
Author	P Verhás
Date accessioned	2016-09-04T21:29:31Z
Date available	2016-09-04T21:29:31Z
Date of issue	1992
URI of identifier	http://hdl.handle.net/10890/2523
Language	en
Title	Quantum Mechanical Approach for the Examination of the Properties of MOS Inversion Layers in p-type Silicon
Document type	egyéb konferenciaközlemény
Identifiers [mtmt]	2613515
Other container identifier	2613514
Title of the container document	Proc. of the 15th NORDIC Semiconductor Meeting
Document genre	konferenciaközlemény

BME PA dokumentumai [3590]
Lezárt gyűjtemény. Fájlok hozzáférési felülvizsgálata folyamatban. Jelenleg a dokumentumok kizárólag BME-s IP címekről érhetők el.