Quantum Mechanical Approach for the Examination of the Properties of MOS Inversion Layers in p-type Silicon

Thumbnail
Megtekintés/Megnyitás
Metaadat
Teljes megjelenítés
Link a dokumentumra való hivatkozáshoz:
http://hdl.handle.net/10890/2523
Gyűjtemény
Cím és alcím
Quantum Mechanical Approach for the Examination of the Properties of MOS Inversion Layers in p-type Silicon
Szerző
K Tarnay
F Masszi
T Kocsis
Poppe, András
P Verhás
Megjelenés ideje
1992
Nyelv
en
Egyéb azonosítók
MTMT: 2613515
A cikket/könyvrészletet tartalmazó dokumentum címe
Proc. of the 15th NORDIC Semiconductor Meeting
Dokumentumtípus
egyéb konferenciaközlemény
Műfaj
konferenciaközlemény