Rövidített megjelenítés

dc.contributor.authorKádas, Krisztina
dc.contributor.authorKugler, Sándor
dc.date.accessioned2016-09-04T21:27:15Z
dc.date.available2016-09-04T21:27:15Z
dc.date.issued2002
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10890/1833
dc.language.isoen
dc.titleProperties of midgap states in doped amorphous silicon and carbon
dc.typefolyóiratcikk
dc.identifier.mtmt1710985
dc.identifier.wos000177387200004
dc.other.containerIdentifierIssn1454-4164
dc.other.containerPeriodicalNumber3
dc.other.containerPeriodicalVolume4
dc.other.containerTitleJOURNAL OF OPTOELECTRONICS AND ADVANCED MATERIALS
dc.type.typeszakcikk


A dokumentumhoz tartozó fájlok

Thumbnail

A dokumentum a következő gyűjtemény(ek)ben található meg

  • BME PA dokumentumai [3736]
    Lezárt gyűjtemény. Fájlok hozzáférési felülvizsgálata folyamatban. Jelenleg a dokumentumok kizárólag BME-s IP címekről érhetők el.

Rövidített megjelenítés